目录
一、反相器的原理图设计 二、创建符
三、反相器电路前仿
四、版图设计
五、版图后仿 六、总结
一、 反相器的原理图设计 实验目的：
1、了解Schematic设计环境 2、掌握反相器电路原理图输入方法 实验内容：
1、创建库和视图单元
步骤：1）开启虚拟机，进入Red Hat Linux后，点击CIW窗口的file—new—library，由此
可创建库，用来存放单元视图的文件夹，将库文件的路径设置在cadence目录下，Name栏输入库文件名inv，右侧Technology File栏中选择Don’t need a techfile，点击OK。2）然后再点击file—new—cellview，创建一个单元视图，不同的单元视图存放不同的文件夹，Library Name 选取为inv，Cell Name为自己学号，点击OK，此时便会弹出Schematic Edit的空白窗口。
2、输入反相器原理图
步骤：1）添加元件
在Schematic Edit的窗口中，选择Add—Instance窗口，点击Browse按钮，弹出Library Browser窗口，在Library一栏中选择gpdk180,Cell一栏中选pmos。Cellview一栏选择symbol，都选好后就可以点击close，将Library Browser窗口关闭，此时Add Instance窗口的Cell栏和View栏就会被填好。nmos的添加方法同上。
2）添加Source和Ground
方法同上，在Library一栏中选analoglib，Cell一栏选vcc，Cellview一栏选择
symbol。添加Ground方法同上。 3) 添加pin
点击Add—pin会出现Add pin窗口，在Pin Name栏中输入管脚名称，设置Direction为input，同理再添加一个output管脚。 4) 连线
点击Add—Wire (Narrow)，在需要连线处点击即可。
3、检查并保存：点击Design—Check and Save。 二、创建符号
实验目的：了解创建符号的步骤 实验内容： 1、生成符号
步骤：1）在Schematic中，点击Design—Creat Cellview—From—Cellview弹出Cell From
Cellview窗口，Library Name 和Cell Name会自动填写为我们所要创建符号的原理图名称，点击OK，弹出Symbol Generation Option窗口。
2）在填好各项后进入Symbol Editing窗口编辑符号，如下图所示：
[@instanceName] in [@partName] out
2、编辑符号
1）点击Add—shape,可通过其中的各项来编辑符号形状 2)检查并保存：点击Design—Check and Save。
三、 反相器电路前仿 实验目的：
1、 熟悉仿真参数设置 2、 掌握仿真步骤 实验内容：
在原理图编辑窗口中点击Tool—Analog Environment，弹出Analog Design Environment。首先设置库的路径，点击Setup—Model libraries，然后点击Browse，将Section设为stat。 1、 瞬态分析
步骤：1）在Analog Environment窗口下点击Setup—Stimuli，需设置Input和Global Sources
两个参数。 注：在设置这两个参数时需要点击Enable和Change使得In和Vdd!从OFF状态
改变到ON状态。以下设置参数同样需要点击Enable。 2）点击Analyses—Choose，可以选择分析类型，选择Tran分析。
3）点击Outputs—Save All，可选择输出，输出选择allpub，器件电流选择all，点击
OK，此时可以先将输出结果选中。
4）点击Simulation—Netlist and Run，可进行仿真，点击后会弹出Welcome to Spectre窗口，点击OK就开始仿真了
2、直流分析
步骤：1）创建新的单元视图invfz，并调用实验二中生成的反相器符号来连接反相器的
仿真电路，输入原理图步骤同实验一，同时直流分析需要对电路外加一个激励。 2）点击Select Component，选择电路图中的v1，弹出Select Component Parameter窗口，选中窗口中的dc，点击OK运行。
四、 版图设计 实验目的：
1、 掌握画版图步骤 2、 了解版图设计规则 实验内容：
1、建库
步骤：1)在进行版图设计之前，首先要建立库，以及单元视图。可以建立在原理图所在的库
中，在创建库的时候选择Attach to existing techfile，工艺文件就选择gpdk180。. 2、 调用单元版图
步骤：1）方法与原理图设计时调用期间的方法相同。会弹出Creat Instance窗口，此时选择View时选择layout，在窗口中进行器件宽长比的设置。
2）同理调用nmos单元版图并设置宽长比。 3）将各MOS管按原理图相连接
4）选择器件，按Q键，在parameter下的Bodytie一栏中选择Detached，就画出了沉
衬底。
3、 创建pin脚
步骤：点击Create Pin，弹出Create Symbolic Pin窗口，依次创建Vcc！、gnd!、输入in、输出out的引脚。 最终版图如下图所示：
五、版图后仿 实验目的：
1、 掌握版图的验证 实验内容：
1、 DRC验证
步骤：在Layout Editing窗口点击Verify—DRC，弹出DRC验证窗口，点击OK 2、 Extract（参数提取） 步骤：点击Verify—Extract，弹出窗口，点击OK。 3、 LVS验证
步骤：在版图编辑窗口下，点击Verify—LVS，设置完成后，点击Run运行。
五、总结
通过本次实验对Cadence的运用有了全面的掌握，例如原理图的设计、创建符、反相器电路前仿、版图设计及其后仿等。但在实验的过程中也会遇到很多的困难，如在反相器的前仿时由于数据设置错误会导致仿真图的不对。所以在实验时要仔细认真，确定每一个细节，以保证实验的顺利完成。
