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低温裂纹釉及用其制备的低温裂纹釉陶瓷制品及制备方法[发明专利]

来源:尔游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 CN 105294173 A (43)申请公布日 2016.02.03

(21)申请号 201510902214.2(22)申请日 2015.12.09

(71)申请人福建省德化臻南陶瓷有限公司

地址362500 福建省泉州市德化龙浔镇南环

路(72)发明人苏昆仑

(74)专利代理机构北京同辉知识产权代理事务

所(普通合伙) 11357

代理人安乔(51)Int.Cl.

C04B 41/86(2006.01)

权利要求书1页 说明书4页

(54)发明名称

低温裂纹釉及用其制备的低温裂纹釉陶瓷制品及制备方法(57)摘要

本发明涉及一种低温裂纹釉及用其制备的低温裂纹釉陶瓷制品及制备方法,属于陶瓷技术领域。该低温裂纹釉包括按照质量份数计的如下组分:霞石正长石390-410份、石英48-52份、重质碳酸钙48-52份、第一釉用熔块780-820份、轻质碳酸钙19-21份、第二釉用熔块19-21份、碳酸铜76-84份。本发明通过对低温裂纹釉釉料进行精心调配,可以在较低温下烧成裂纹釉,有效节约能源;按照本发明所述方法烧制的裂纹釉陶瓷制品不仅成品率可高达95以上,而且其釉面完整美观,具有显著的裂纹效果;按照本发明釉料烧制的陶瓷制品的釉面呈墨绿色,且裂纹均匀细致,因此,本发明具有良好的应用前景和市场前景。 C N 1 0 5 2 9 4 1 7 3 A CN 105294173 A

权 利 要 求 书

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1.低温裂纹釉,其特征在于,包括按照质量份数计的如下组分:霞石正长石390-410份、石英48-52份、重质碳酸钙48-52份、第一釉用熔块780-820份、轻质碳酸钙19-21份、第二釉用熔块19-21份、碳酸铜76-84份;其中,所述第一釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:紫金土4-8份、氧化铝10-15份、氧化锌2-4份、氧化钠1-3份;所述第二釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:二氧化硅12-17份、氧化钙5-9份、氧化钠0.5-1份、氧化镁2-4份、氧化铝4-8份。

2.根据权利要求1所述的低温裂纹釉,其特征在于,包括按照质量份数计的如下组分:霞石正长石400份、石英50份、重质碳酸钙50份、第一釉用熔块800份、轻质碳酸钙20份、第二釉用熔块20份、碳酸铜80份。

3.根据权利要求2所述的低温裂纹釉,其特征在于,所述第一釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:紫金土6份、氧化铝12.6份、氧化锌3份、氧化钠2份;所述第二釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:二氧化硅15份、氧化钙7份、氧化钠0.7份、氧化镁3份、氧化铝6份。

4.用权利要求1所述的低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤一,釉用熔块的制备:按照第一釉用熔块的配比,分别称取各原料并混合,后于1600-1610℃下熔制,即得所述第一釉用熔块;按照第二釉用熔块的配比,分别称取各原料并混合,后于1550-1560℃下熔制,即得所述第二釉用熔块;

步骤二,釉用熔块破碎:按照所述低温裂纹釉的重量配比,取步骤一所得第一釉用熔块和第二釉用熔块,分别破碎,得第一釉用熔块破碎料和第二釉用熔块破碎料;

步骤三,研磨:按照所述重量配比,将步骤二所得第一釉用熔块破碎料、第二釉用熔块破碎料和其他各原料混合均匀,再加入原料总重量80%-85%的水进行球磨,得釉浆料;

步骤四,施釉:将步骤三所得釉浆料调节至38-40波美度,将预先烧制好的陶瓷素坯浸入其中进行施釉,得施釉素坯;

步骤五,烧成:将步骤四所得施釉素坯逐渐升温至1100℃进行烧制,后熄火自然冷却,即得所述低温裂纹釉陶瓷制品。

5.根据权利要求4所述的用低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法,其特征在于,步骤二中所述釉用熔块破碎至过250目。

6.根据权利要求4所述的用低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法,其特征在于,步骤三中所述釉浆料球磨至过200-250目筛。

7.根据权利要求4所述的用低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法,其特征在于,步骤五中所述施釉素坯按照以下烧成方法进行烧成:于30min内升温至400℃,继续在30min内升温至780-800℃,后升温至1100℃保温烧制1h。

8.权利要求4所述的用低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法制得的低温裂纹釉陶瓷制品。

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说 明 书

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低温裂纹釉及用其制备的低温裂纹釉陶瓷制品及制备方法

技术领域

本发明属于陶瓷技术领域,具体涉及一种低温裂纹釉及用其制备的低温裂纹釉陶瓷制品及制备方法。

[0001]

背景技术

裂纹釉是指陶瓷制品的釉层上具有细小的裂纹,它使陶瓷制品具有特定的艺术效

果而得到人们的青睐。裂纹釉的形成机理是利用釉的膨胀系数大于坯的膨胀系数,当制品冷却时,釉的收缩大于坯,而使得釉层发生龟裂;收缩的差值越大,龟裂的程度也越大;釉的弹性越小,龟裂也会越大。

[0003] 虽然目前有众多的裂纹釉,但是裂纹釉的原料配比及烧成工艺仍值得人们探究,一般在烧釉时,1100℃左右属于低温烧成,1200℃左右属于中温烧成,1300℃左右属于高温烧成,目前大多数的裂纹釉烧成时均属于中高温烧成,高温烧成虽然可以保证良好的裂纹效果,但是多数裂纹釉料适应快速高温烧成的能力较差,残次品较多,所耗费的能源和时间较多,生产效率较低,成本较高。[0004] 因此一种生产效率高、成品率较高的低温裂纹釉及其烧成方法就显得尤为重要。

[0002]

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术的不足,而提供一种低温裂纹釉及用其制备的低温裂纹釉陶瓷制品及制备方法,该低温裂纹釉可在低温烧成,成品率高,可有效节约能源,提高生产效率,降低生产成本。[0006] 本发明采用如下技术方案:

低温裂纹釉,包括按照质量份数计的如下组分:霞石正长石390-410份、石英48-52份、重质碳酸钙48-52份、第一釉用熔块780-820份、轻质碳酸钙19-21份、第二釉用熔块19-21份、碳酸铜76-84份;其中,所述第一釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:紫金土4-8份、氧化铝10-15份、氧化锌2-4份、氧化钠1-3份;所述第二釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:二氧化硅12-17份、氧化钙5-9份、氧化钠0.5-1份、氧化镁2-4份、氧化铝4-8份。

[0007] 更进一步的,所述的低温裂纹釉,包括按照质量份数计的如下组分:霞石正长石400份、石英50份、重质碳酸钙50份、第一釉用熔块800份、轻质碳酸钙20份、第二釉用熔块20份、碳酸铜80份。[0008] 更进一步的,所述的低温裂纹釉,其中所述第一釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:紫金土6份、氧化铝12.6份、氧化锌3份、氧化钠2份;所述第二釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:二氧化硅15份、氧化钙7份、氧化钠0.7份、氧化镁3份、氧化铝6份。

[0005] [0009]

用所述的低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法,包括如下步骤:步骤一,釉用熔块的制备:按照第一釉用熔块的配比,分别称取各原料并混合,后于

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说 明 书

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1600-1610℃下熔制,即得所述第一釉用熔块;按照第二釉用熔块的配比,分别称取各原料并混合,后于1550-1560℃下熔制,即得所述第二釉用熔块;

步骤二,釉用熔块破碎:按照所述低温裂纹釉的重量配比,取步骤一所得第一釉用熔块和第二釉用熔块,分别破碎,得第一釉用熔块破碎料和第二釉用熔块破碎料;

步骤三,研磨:按照所述重量配比,将步骤二所得第一釉用熔块破碎料、第二釉用熔块破碎料和其他各原料混合均匀,再加入原料总重量80%-85%的水进行球磨,得釉浆料;

步骤四,施釉:将步骤三所得釉浆料调节至38-40波美度,将预先烧制好的陶瓷素坯浸入其中进行施釉,得施釉素坯;

步骤五,烧成:将步骤四所得施釉素坯逐渐升温至1100℃进行烧制,后熄火自然冷却,即得所述低温裂纹釉陶瓷制品。[0010] 更进一步的,所述的用低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法,其中步骤二中所述釉用熔块破碎至过250目。[0011] 更进一步的,所述的用低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法,其中步骤三中所述釉浆料球磨至过200-250目筛。[0012] 更进一步的,所述的用低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法,其中步骤五中所述施釉素坯按照以下烧成方法进行烧成:于30min内升温至400℃,继续在30min内升温至780-800℃,后升温至1100℃保温烧制1h。

[0013] 本发明还提供一种用低温裂纹釉制得的低温裂纹釉陶瓷制品。[0014] 本发明与现有技术相比,其有益效果为:

本发明通过对低温裂纹釉釉料进行精心调配,可以在较低温下烧成裂纹釉,有效节约能源;按照本发明所述方法烧制的裂纹釉陶瓷制品不仅成品率可高达95%以上,而且其釉面完整美观,具有显著的裂纹效果;按照本发明釉料烧制的陶瓷制品的釉面呈墨绿色,且裂纹均匀细致,因此,本发明具有良好的应用前景和市场前景。具体实施方式

[0015] 下面结合实施例对本发明作进一步的详细描述。[0016] 本领域技术人员将会理解,下列实施例仅用于说明本发明,而不应视为限定本发明的范围。

[0017] 实施例1

低温裂纹釉,包括按照质量份数计的如下组分:霞石正长石400份、石英50份、重质碳酸钙50份、第一釉用熔块800份、轻质碳酸钙20份、第二釉用熔块20份、碳酸铜80份;其中,其中所述第一釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:紫金土6份、氧化铝12.6份、氧化锌3份、氧化钠2份;所述第二釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:二氧化硅15份、氧化钙7份、氧化钠0.7份、氧化镁3份、氧化铝6份。

[0018] 用所述的低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法,包括如下步骤:

步骤一,釉用熔块的制备:按照第一釉用熔块的配比,分别称取各原料并混合,后于1605℃下熔制,即得所述第一釉用熔块;按照第二釉用熔块的配比,分别称取各原料并混合,后于1555℃下熔制,即得所述第二釉用熔块;

步骤二,釉用熔块破碎:按照所述低温裂纹釉的重量配比,取步骤一所得第一釉用熔块

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说 明 书

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和第二釉用熔块,分别破碎至过250目,得第一釉用熔块破碎料和第二釉用熔块破碎料;

步骤三,研磨:按照所述重量配比,将步骤二所得第一釉用熔块破碎料、第二釉用熔块破碎料和其他各原料混合均匀,再加入原料总重量83%的水进行球磨,球磨至过200目筛,得釉浆料;

步骤四,施釉:将步骤三所得釉浆料调节至39波美度,将预先烧制好的陶瓷素坯浸入其中进行施釉,得施釉素坯;

步骤五,烧成:将步骤四所得施釉素坯逐渐升温至1100℃进行烧制,具体烧成方法为:于30min内升温至400℃,继续在30min内升温至790℃,后升温至1100℃保温烧制1h,后熄火自然冷却,即得所述低温裂纹釉陶瓷制品。[0019] 实施例2

低温裂纹釉,包括按照质量份数计的如下组分:霞石正长石390份、石英48份、重质碳酸钙48份、第一釉用熔块780份、轻质碳酸钙19份、第二釉用熔块19份、碳酸铜76份;其中,所述第一釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:紫金土4份、氧化铝10份、氧化锌2份、氧化钠1份;所述第二釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:二氧化硅12份、氧化钙5份、氧化钠0.5份、氧化镁2份、氧化铝4份。

[0020] 用所述的低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤一,釉用熔块的制备:按照第一釉用熔块的配比,分别称取各原料并混合,后于1600℃下熔制,即得所述第一釉用熔块;按照第二釉用熔块的配比,分别称取各原料并混合,后于1550℃下熔制,即得所述第二釉用熔块;

步骤二,釉用熔块破碎:按照所述低温裂纹釉的重量配比,取步骤一所得第一釉用熔块和第二釉用熔块,分别破碎至过250目,得第一釉用熔块破碎料和第二釉用熔块破碎料;

步骤三,研磨:按照所述重量配比,将步骤二所得第一釉用熔块破碎料、第二釉用熔块破碎料和其他各原料混合均匀,再加入原料总重量80%的水进行球磨,球磨至过250目筛,得釉浆料;

步骤四,施釉:将步骤三所得釉浆料调节至38波美度,将预先烧制好的陶瓷素坯浸入其中进行施釉,得施釉素坯;

步骤五,烧成:将步骤四所得施釉素坯逐渐升温至1100℃进行烧制,具体烧成方法为:于30min内升温至400℃,继续在30min内升温至780℃,后升温至1100℃保温烧制1h,后熄火自然冷却,即得所述低温裂纹釉陶瓷制品。[0021] 实施例3

低温裂纹釉,包括按照质量份数计的如下组分:霞石正长石410份、石英52份、重质碳酸钙52份、第一釉用熔块820份、轻质碳酸钙21份、第二釉用熔块21份、碳酸铜84份;其中,所述第一釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:紫金土8份、氧化铝15份、氧化锌4份、氧化钠3份;所述第二釉用熔块包括按照质量份数计的如下组分:二氧化硅17份、氧化钙9份、氧化钠1份、氧化镁4份、氧化铝8份。

[0022]

用所述的低温裂纹釉制备低温裂纹釉陶瓷制品的方法,其特征在于,包括如下步

骤:

步骤一,釉用熔块的制备:按照第一釉用熔块的配比,分别称取各原料并混合,后于

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1610℃下熔制,即得所述第一釉用熔块;按照第二釉用熔块的配比,分别称取各原料并混合,后于1560℃下熔制,即得所述第二釉用熔块;

步骤二,釉用熔块破碎:按照所述低温裂纹釉的重量配比,取步骤一所得第一釉用熔块和第二釉用熔块,分别破碎至过250目,得第一釉用熔块破碎料和第二釉用熔块破碎料;

步骤三,研磨:按照所述重量配比,将步骤二所得第一釉用熔块破碎料、第二釉用熔块破碎料和其他各原料混合均匀,再加入原料总重量85%的水进行球磨,球磨至过200目筛,得釉浆料;

步骤四,施釉:将步骤三所得釉浆料调节至40波美度,将预先烧制好的陶瓷素坯浸入其中进行施釉,得施釉素坯;

步骤五,烧成:将步骤四所得施釉素坯逐渐升温至1100℃进行烧制,具体烧成方法为:于30min内升温至400℃,继续在30min内升温至800℃,后升温至1100℃保温烧制1h,后熄火自然冷却,即得所述低温裂纹釉陶瓷制品。

[0023] 按照实施例1至3所述釉配方和制备方法制得的低温裂纹釉陶瓷制品均可以呈现墨绿色釉面,其釉面裂纹均匀细致,美观装饰性较强,且成品率均可达95%以上。[0024] 本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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