维普资讯 http://www.cqvip.com 第２０卷第７期 传感 技术 报 Ｖｏ１．２０ Ｎｏ．７ ２００７年７月 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ｓＥＮＳ０ＲＳ ＆ Ｓ ＪＵＬ．２００７ ＺＯＵ Ｓｈａｏ一知ｎｇＨ，ＦＡＮ Ｙｉｎｇ—ｌｅ ，ＷＡＮＧ Ｐｉｎｇ。 ，１．Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｂｉｏｍｅｄｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ａｎｄ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ，Ｈａｎｇｚｈｏｕ Ｄｉａｎｚｉ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｈａｎｇｚｈｏｕ ３１００１８，Ｃｈｉｎａ．、 ＼２．ＢｉｏｓｅｎｓｏｒＮａｔｉｏｎａｌ Ｓｐｅｃｉａｌ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ，Ｚｈ ｉａｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｈａｎｇｚｈｏｕ ３１００２７，Ｃｈｉｎａ ／ Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａ ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｔｏｎｇｕｅ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ ｆｏｒ ｔｈｅ ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｉｘ ｔｒａｃｅ ｈｅａｖｙ ｍｅｔａ１ ｉｏｎｓ ｉｎ ａｑｕｅｏｕｓ ｍｅｄｉａ．Ｉｔ ｃｏｍｂｉｎｅｓ ａｎ Ａｕ ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ ａｒｒａｙ（ＡｕＭＥＡ）ｗｉｔｈ ｔｗｏ ｌｉｇｈｔ—ａｄｄｒｅｓ— ｓａｂｌｅ ｐｏｔｅｎｔｉｏｍｅｔｒｉｃ ｓｅｎｓｏｒｓ（ＬＡＰＳ）ｏｎ ａ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ．Ｔｈｅ ＡｕＭＥＡ ｃｏｎｔａｉｎｓ ８×８ ｉｎｄｉｖｉｄｕａＩ １０ ｍ ｄｉａｍｅｔｅｒ Ａｕ ｄｉｓｋ ｍｉｃｒｏｅ１ｅｃｔｒｏｄｅｓ．Ｓｑｕａｒｅ ｗａｖｅ ａｎｏｄｉｃ ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ ｖｏｌｔａｍｍｅｔｒｙ（ＳＷＡＳＶ）ｉｓ ｕｓｅｄ ｆｏｒ ｓｉｍｕｌ— ｔａｎｅｏｕｓ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｚｎ（ＩＩ），Ｃｄ（ＩＩ），Ｐｂ（ＩＩ）ａｎｄ Ｃｕ（ＩＩ）ｗｉｔｈ ＡｕＭＥＡ．Ｐａｒａｌｌｅ１ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｆｅ（ＩＩＩ）ａｎｄ Ｃｒ （ＶＩ）ａｒｅ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｔｗｏ ＬＡＰＳｓ ｗｉｔｈ ｉｏｎ－ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｃｈａｌｃｏｇｅｎｉｄｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｗｈｉｃｈ ａｒｅ ｆｏｒｍｅｄ ｏｎ ｔｗｏ ２ ｍｍ Ｘ ２ ｍｍ Ａｕ ｓｕｒｆａｃｅｓ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｍｅａｓｕｒｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗ ｐａｒｔｓ—ｐｅｒ－ｂｉｌｌｉｏｎ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｘ ｉｏｎｓ ｍｅｎｔｉｏｎｅｄ ａｂｏｖｅ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｈｅａｖｙ ｍｅｔａｌｓ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ；ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｔｏｎｇｕｅ； ｍｉｃｒｏｅ１ｅｃｔｒｏｄｅｓ ａｒｒａｙ；ｌｉｇｈｔ—ａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅ ｐｏｔｅｎｔｉｏｍｅｔ一 ｒｉ学 ｃ ｓｅｎｓｏｒ；ｓｑｕａｒｅ ｗａｖｅ ａｎｏｄｉｃ ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ ｖｏｌｔａｍｍｅｔｒｙ ＥＥＡＣＣ：７２３０Ｊ 集成多传感器的环境监测电子舌的研究 ＊ 邹绍芳 ，范影乐 ，王 平 ，１．杭州电子科技大学生物医学工程及仪器研究所，杭州３１００１８；、 ＼２．浙江大学生物传感器国家专业实验室，杭州３１００２７ ／ 摘 要：研发了一种基于硅基底的环境监测新型电子舌，用于在线检测锌、镉、铅、铜、铁和铬６种痕量重金属元素．系统由一 个电化学微电极阵列和两个光寻址电位传感器组成．其中微电极阵列由８×８个直径为１０ ｔｔｍ的金微电极组成，采用方波阳 极溶出伏安法实现锌、镉、铅和铜４种元素的快速检测．另外在硅基底的两个２ ｍｍＸ２ ｒｎｒｎ的金膜表面，分别沉积铁离子和铬 离子选择性薄膜，实现光寻址电位传感器，用来实时检测铁和铬２种元素．实验结果表明，本文方法具有所需样品少、操作方 便、检测速度快以及灵敏度高等优点，检出限可达到微克／升级． 关键词：重金属检测；电子舌；微电极阵列；光寻址电位传感器；方波阳极溶出伏安法 中图分类号：ＴＰ２１２．２ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００４—１６９９（２００７）０７－１４５７－０４ 重金属污染是影响生态环境的重要因素，如锌 过程中的污染都会影响到检测结果的客观性．采用 Ｚｎ（ＩＩ）、镉Ｃｄ（ＩＩ）、铅Ｐｂ（ＩＩ）、铜Ｃｕ（ＩＩ）、铁Ｆｅ（ＩＩＩ）、 轻便的仪器进行现场实时检测可以提高测量准确 铬Ｃｒ（ＶＩ）等．随着城市的扩大和大规模工业的发 度，降低分析成本．大部分现代重金属分析系统，如 展，重金属广泛分布于各种水体，通过饮水、食物链 原子吸收光谱、电感耦合等离子体原子发射光谱等， 以及生物富集等方式正在严重危害人体健康．重金 仪器价格昂贵、功耗大、体积大、结构复杂且需要较 属的监测迫在眉睫¨１］．传统检测重金属，需要现场采 长的分析时间、复杂和多步骤的分析过程，不适合现 样后送到实验室进行分析，成本高，效率低，而且由 场检测＿２］．电化学方法检测重金属，具有仪器体积 于没有及时检测，水样中途发生变化，以及水样传输 小，价格低，检测快速方便和灵敏度高的优点，易于 基金项目：浙江省科技计划重点项目资助（２ｏｏ７ｃ２３ｏ７４）；浙江省自然科学基金资助（６０２１２７） 收稿日期：２００６一１０—１７ 修改日期：２００６—１１—１６ 维普资讯 http://www.cqvip.com ｌ４５８ 传感技术学报 ２００７丘 实现现场检测． 在过去２０多年里，电化学传感器向着小型化、 微型化、集成化的方向蓬勃发展，成为研究的热点． 氧气，炉温升高到ｌ ２００℃，加热１８ ｍｉｎ，则可以得 到厚约３Ｏ ｎｍ左右的ＳｉＯｚ层．用磨片机磨去硅片背 面的ＳｉＯ２，并溅射一薄层Ａ１（１００ ｎｍ）作为ＬＡＰＳ 欧姆接触的引线层．为保证金属Ａｕ层可靠黏附在 硅片表面，在金沉积之前先沉积一薄层Ｃｒ金属层作 为黏附层．采用真空蒸发的方法，分别沉积１００ ｎｍ 厚的Ｃｒ和２５０ ｎｍ厚的Ａｕ在硅片的ＳｉＯｚ表面作 为黏附层和电极层．通过光刻和湿法腐蚀工艺保留 电极．采用化学气相沉积方法先后沉积５００ ｎｍ ＳｉＯｚ和５００ ｎｍ Ｓｉ。Ｎ 作为钝化层．最后应用反应离 子刻蚀法干法腐蚀ＳｉＯｚ和Ｓｉ。Ｎ ，暴露出相应电极 图形．在２ ｍｍ￣２ ｍｍ的硅片表面上分别激光脉冲 沉积Ｆｅ（ＩＩＩ）敏感膜和Ｃｒ（ＶＩ）敏感膜ｌ＿１ ，沉积过程 微电极阵列（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ ａｒｒａｙ，ＭＥＡ）被广泛应 用于电化学检测．与传统普通电化学电极相比，微电 极阵列不仅体积小，批量生产一致性好，所需试剂量 少，而且具有更高的电流密度和更好的信噪比．微电 极阵列与电化学溶出伏安法相结合，具有分析成本 低，仪器简单轻便，响应时间快，检测下限低（达ｐｐｂ 甚至ｐｐｔ级）等优点，适用于现场快速在线检测［３］． １９９５年德国Ａ．Ｕｈｌｉｇ等就采用微电极阵列成功检 测了１０－１００×ｉ０ 的Ｃｕ、Ｐｂ和Ｃｄ．１９９６年瑞士Ｃ． Ｂｅｌｍｏｎｔ等检测出了ｌ～１０ ｎｍｏｌ／Ｉ 的Ｐｂ和Ｃｄ． １９９７年美国塔夫茨大学Ｒｏｓｅｍａｒｙ Ｆｅｅｎｅｙ等检测 了０－１００ｐｐｂ的Ｃｄ．１９９９年美国华盛顿大学Ｓｔｅｖａｎ Ｂ．Ｓａｂａｎ等同时测定了ｌ０×ｌ０ ～ｌ０×ｌ０ 的 中用薄铝片遮住器件的其他部分．实验证明在硅片 相应区域上预沉积一层Ａｕ，然后激光脉冲沉积沉积 敏感膜，得到的敏感膜不易脱落，更加稳定可靠．所 以在沉积、光刻形成ＡｕＭＥＡ的同时，在相应的 Ｃｕ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｈｇ等四种元素 ． 光寻址电位传感器（１ｉｇｈｔ—ａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅ ｐｏｔｅｎｔｉｏ－ ｍｅｔｒｉｃ ｓｅｎｓｏｒ，ＬＡＰＳ）是一种高灵敏的光学式电化 学传感器件．它于１９８８年由Ｈａｆｅｍａｎ等人在《Ｓｃｉ— ｅｎｃｅ｝上首次提出后，立即引起广泛关注ｌ＿５ｊ．Ｈａｆｅ－ ｍａｎ指出：凡是能通过氧化还原反应、免疫反应、酶 ＬＡＰＳ区域也沉积了Ａｕ薄膜．沉积得到的Ｆｅ（ＩＩＩ） 敏感膜厚度约为５００ ｎｍ，得到Ｃｒ（ＶＩ）敏感膜厚度 约为４００ ｎｍ．硅片划片后，打线到定制的ＰＣＢ板 上．硅片背面用导电胶引出欧姆接触．然后用环氧树 脂密封焊盘、引线及硅片四周，并安装到腔体上，同 时固定两个ＬＡＰＳ光源在ＬＡＰＳ敏感膜上方．最后 采用电镀的方法，在相应区域的Ａｕ表面电沉积 促反应等引起表面电位幅值和相位变化的各种参数 均可用ＬＡＰＳ测量，大到细胞、孢子，小到通道、 ＤＮＡ、离子等，都可以用ＬＡＰＳ来检测．德国和俄罗 斯合作，于２００１年首度应用ＰＩ Ｄ技术在ＬＡＰＳ上 沉积Ｐｂ离子选择性硫系玻璃薄膜，检测Ｐｂ取得了 成功，检测下限为ｌ×１０～ｍｏｌ／Ｉ ＿６ｊ．２００５年浙江大 Ａｇ／ＡｇＣ１和Ｐｔ，制备微型参比电极和对电极，工艺 简单，成本低廉． 学生物传感器国家专业实验室基于ＰＩ Ｄ技术在 ＬＡＰＳ表面上制备了Ｆｅ离子选择性硫系玻璃薄膜， 检测下限为５×１０一 ｍｏｌ／Ｉ ｌ＿７Ｊ．由于ＬＡＰＳ的原理 是基于半导体的光电效应【８］，本文充分发挥半导体 微加工技术的优势，把ＭＥＡ和ＬＡＰＳ两种传感器 集成在一个硅片上，实现了多元素重金属的快速同 时检测．ＭＥＡ镀汞膜后与方波阳极溶出伏安法结 合检测Ｚｎ（ＩＩ）、Ｃｄ（ＩＩ）、Ｐｂ（ＩＩ）和Ｃｕ（ＩＩ）４种元素， 同时基于铁离子和铬离子选择性薄膜的ＬＡＰＳ分 别检测Ｆｅ（ＩＩＩ）和Ｃｒ（ＶＩ）元素． 图１ 电子舌结构示意图 ２电子舌的预处理 在使用电子舌之前均需清洗活化ＡｕＭＥＡ表 面．在０．１ ｍｏｌ／Ｉ 的硫酸溶液中，在０ Ｖ至＋１．５ Ｖ １ 电子舌的加工（图１） 电子舌采用硅微加工工艺制作ｌ＿ｇ］．选择晶向 ＜ｉ００＞的直径为４ ｉｎ的Ｎ型硅片作为基底，经过 标准清洗后甩干，在Ｓｉ片上沉积ＳｉＯ。介质层．由于 范围内进行循环伏安扫描，直到获得可重复的电化 学响应．然后在ＡｕＭＥＡ上电镀汞膜，镀汞液的浓 度对测量有影响．实验结果表明，金属的溶出峰电流 值随镀汞液浓度的增大而上升，但当镀汞液的浓度 大于１．０×１０ ｍｏｌ／Ｉ 时，峰电流开始下降．其原因 可能是汞的浓度过大，导致镀汞膜厚度增加，使灵敏 集成了ＬＡＰＳ器件，ＳｉＯ 氧化层不宜太厚，我们采 用干法氧化的方法，将Ｓｉ片放人高温氧化炉，通入 维普资讯 http://www.cqvip.com 第７期 邹绍芳，范影乐等：集成多传感器的环境监测电子舌的研究 １４５９ 度下降．所以选用１．０×１０一ｍｏｌ／Ｉ 的Ｈｇ（ＩＩ）溶 液．电镀汞时把电子舌置于含１．０×１０ ｍｏｌ／Ｌ Ｈｇ （ＩＩ）的０．１ｍｏｌ／Ｌ的ＨＣ１０ 溶液中，施加电位一０．３ Ｖ，电镀时间３ ｍｉｎ．电镀后取出电子舌，可观察到 ＡｕＭＥＡ表面均匀地附着上了一层汞膜．每天实验 结束后，采用线性扫描伏安法在１ ｍｏｌ／Ｌ的ＫＳＣＮ 溶液中以２０ ｍＶ／ｓ的扫描速率从一０．３ Ｖ扫描至 ＋０．３ Ｖ，使ＡｕＭＥＡ表面的汞充分溶出．电子舌不 使用时，干燥保存在聚四氟乙烯容器内． ３检测方法 电子舌上的镀汞ＡｕＭＥＡ与方波阳极溶出伏 安法结合，同时快速检测Ｚｎ（ＩＩ）、Ｃｄ（ＩＩ）、Ｐｂ（ＩＩ）和 Ｃｕ（ＩＩ）４种元素．以一１．５ Ｖ为富集电位，富集５ ｍｉｎ后，在一１．５ Ｖ～一０．１ Ｖ电位范围内在线性变 化的电位上迭加高频小振幅的连续方波电位，电位 增量４ ｍＶ，方波周期７０ Ｓ，方波幅度２０ ｍＶ，记录方 波溶出伏安曲线，依次测出Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ和Ｃｕ的峰 高，由此进行Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ和Ｃｕ ４种离子的定量分 析． 在镀汞ＡｕＭＥＡ进行溶出伏安检测Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ 和Ｃｕ的同时，电子舌上的两个ＬＡＰＳ采用红外发光 二极管正面光照，激活硅片上相应部位的固态硫系玻 璃敏感膜，检测出相应（ＩＩＩ）和Ｃｒ（ＶＩ）的浓度，从而可 以实现溶液中的Ｆｅ（ＩＩＩ）和Ｃｒ（Ⅵ）的同时测量．光在 透过溶液时要被反射和折射，被半导体吸收的光只能 是部分，若溶液采用流动方式或搅拌，会使得有效的 激发光源变得不稳定．我们所需的样品量只有１００ Ｉ ，故测试时采用的是溶液静止方式，保证了有效的 激发光源稳定．图１示意光源在器件背面，实际采用 正面光照，方便对准．光源波长为９４０ ｎｍ，采用频率 为３ ｋＨｚ的正弦信号驱动，光电流为２０ ｎ ． ４实验结果和分析 由于环境水样中不同重金属离子的浓度高低不 同，为满足实际测量的需要，本文配制了不同浓度配 比的Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ和Ｃｕ的混合溶液，得到的溶出伏 安曲线如图２所示．其中五条伏安曲线从下到上对 应ｚｎ的浓度分别为５０ ｇ／Ｉ 、１００ ｇ／Ｉ 、１５０ ｔ￣ｇ／Ｉ 、 ２００＞ｇ／Ｉ 、２５０ ｔｔｇ／Ｉ ，Ｃｄ的浓度分别为５／￣ｇ／Ｉ 、１５ ｔ￣ｇ／Ｉ 、２５ ｇ／Ｉ 、３５ ｔ￣ｇ／Ｉ 、４５ ｔ￣ｇ／Ｉ ，Ｐｂ的浓度分别 为１０／￣ｇ／Ｉ ２０／￣ｇ／Ｉ ３０／￣ｇ／Ｉ ４０／￣ｇ／Ｉ ５０／￣ｇ／Ｉ ， Ｃｕ的浓度分别为４０ ｇ／Ｉ 、８０ ｔ￣ｇ／Ｉ 、１２０ ｇ／Ｉ 、１６０ ｇ／Ｉ 、２００ ｔ￣ｇ／Ｉ ．实验结果表明随着浓度增高，Ｚｎ、 Ｃｄ、Ｐｂ和（、ｕ的峰电流均呈线性增大，线性范围分 另４为１０￣２００ ｔ￣ｇ／Ｉ ，１￣１００ ｇ／Ｉ ，５￣１００ ｇ／Ｉ ，１０ ～２ＯＯ／￣ｇ／Ｌ．测定试剂空白１１次，以３倍空白样品 的标准偏差计算检出限，得到Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ和Ｃｕ的 检出限分别为３／￣ｇ／Ｌ，０．３／￣ｇ／Ｌ，１／￣ｇ／Ｉ ，２／￣ｇ／Ｉ ． 曲线显示 图２不同浓度下Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｃｕ的方波溶出伏安曲线 Ｆｅ＿Ｉ ＡＰＳ和Ｃｒ－ＬＡＰＳ的响应时间均不超过２ ｍｉｎ．实验证明溶液中Ｃｒ（ＶＩ）的浓度变化对Ｆｅ— ＬＡＰＳ信号没有影响，溶液中Ｆｅ（ＩＩＩ）的浓度变化对 Ｃｒ－Ｉ ＡＰＳ信号也没有影响．取不同浓度的Ｆｅ（ＩＩＩ） 和Ｃｒ（ＶＩ）混合溶液进行ＬＡＰＳ检测．对于Ｆｅ— ＬＡＰＳ，Ｉ—Ｖ曲线如图３所示．固定偏压为３００ ｍＶ 不变，测量不同Ｆｅ浓度溶液中ＬＡＰＳ的电流响应， 得到Ｆｅ—Ｉ ＡＰＳ的线性区间为１～１０４ ｔ￣ｇ／Ｉ ，检出限 为３．６＃ｇ／Ｉ 对于Ｃｒ－Ｉ ＡＰＳ，Ｉ－Ｖ曲线如图４所示． 固定偏压为５０ ｍＶ不变，变化Ｃｒ（ＶＩ）溶液浓度测 量ＬＡＰＳ的电流响应，得到Ｃｒ－ＬＡＰＳ的线性区间为 ０．１￣１０３ ｔ￣ｇ／Ｉ ，检出限为０．８ ｔ￣ｇ／Ｉ ． Ｌａｐｓ ‘ ｉ！ ｉｉ妻ｉ ｉ ｉ ｉ ｉ ｉ ｉ； ｉ 篓 ・ｉｊｉｊ ・ ； ．审 ＿－ … ４ 偏匝／ｍＶ 图。 Ｆｅ－ＬＡＰ８的Ｉ～Ｖ曲线（曲线从左到右对应Ｆｅ的浓 度分别为１，１０，１０。，ｌＯ。，１０ ￣ｇ／Ｌ） Ｌａｐｓ ～ 褰Ｓ ｉ ｉｉ … － 塞 ≥ 萎ｉ塞ｊ薹ｉ； ｉ至ｊ薹ｊ 偏压／ｍＶ 目 Ｃｒ－ＬＡＰＳ的Ｉ＿Ｖ曲线（曲线从左到右对应Ｃｒ的浓 度分别为０．１，１，１Ｏ，ｌＯ ，１０。￣ｇ／Ｌ） 维普资讯 http://www.cqvip.com ６０ 传感技术学报 ２００７丘 由于水样中的Ａｇ（Ｉ）和Ｈｇ（ＩＩ）会严重影响Ｆｅ— ＰＳ和Ｃｒ－Ｉ ＡＰＳ的测量，在测量时应该避免溶液 Ａｇ（Ｉ）和Ｈｇ（ＩＩ）的存在．所以电子舌上的 ￣ＩＥＡ必须采用预镀汞的方式，并且电化学溶出 扫描终止电位不能太正，以免汞的溶出． 讨 论 目前溶出伏安法微电极阵列检测痕量重金属已 ｝到广泛应用，通常在微克／升到毫克／升的数量 然而采用光寻址电位传感器检测重金属离子尚 见．本文结合溶出伏安法微电极阵列和多光源 ｝址电位传感器，采用半导体硅微加工工艺加工 ：舌，同时检测６种重金属元素，实现了传感器的 ！化、集成化和多功能化．该电子舌用于测量微量 ！属元素所需样品少，操作方便，检测速度快，灵 高． ｝文献： Ｅｒｉｃ Ｐ．Ａｃｈｔｅｒｂｅｒｇ，Ｃｈａｒｌｏｔｔｅ Ｂｒａｕｎｇａｒｄｔ．Ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ Ｖｏｌｔａｍ— ｍｅｔｒｙ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｒａｃｅ Ｍｅｔａｌ Ｓｐｅｃｉａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｉｎ— Ｓｉｔｕ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ ｏｆ Ｔｒａｃｅ Ｍｅｔａｌ ＩＮｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｓ ｉｎ Ｍａｒｉｎｅ Ｗａｔｅｒｓ［Ｊ］．Ａｎａｌｙｔｉｃａ Ｃｈｉｍｉｃａ Ａｃｔａ，１９９９，４００（２）：３８１—３９７． 邹绍芳（１９７８一），女，江西赣州人．１９９９ 年和２００２年分别获得南昌大学机电工 程学院学士和硕士学位，２００６年获得浙 江大学生物医学工程与仪器科学学院 博士学位，导师王平教授．２００６年６月 进入杭州电子科技大学自动化学院生 物医学工程及仪器研究所工作，讲师． 研究方向为生物、化学、医学传感器及其检测、控制仪器 究，ｚｓｆ＠ｈｄｕ．ｅｄｕ．ｃｎ Ｉ－２］Ｒｉｃｈａｒｄ Ｊ．Ｒｅａｙ，Ａｎｔｈｏｎｙ Ｆ．Ｆｌａｎｎｅｒｙ，ｅｔ ａ１．Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔ— ｅｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｈｅａｖｙ Ｍｅｔａｌ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ｉ－Ｊ］．Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ Ｂ，１９９６，３４（３）：４５０—４５５． ［３］Ｇｉｏｖａｎｎｉ Ｃａｒｌｏ Ｆｉａｃｃａｂｒｉｎｏ，Ｍｉｌｅｎａ Ｋｏｕｄｅｌｋａ—Ｈｅｐ．Ｔｈｉｎ－Ｆｉｌｍ Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ［Ｊ］．Ｅｌｅｃｔｒｏａ— ｎａｌｙｓｉｓ，１９９８，１０（２）：２１７－２２２． ［４１邹绍芳，门洪，王平．微型电化学传感器研究的最新进展．传 感技术学报Ｉ－Ｊ］．２００４，１７（２）：３３６—３４１． Ｉ－ｓ］Ｈａｆｅｍａｎ Ｄ Ｇ，Ｐａｒｃｅ Ｊ Ｗ，ｅｔ ａ１．Ｌｉｇｈｔ—Ａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅ Ｐｏｔｅｎｔｉｏ— ｍｅｔｒｉｃ Ｓｅｎｓｏｒ ｏｆｒ Ｂｉｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ，１９８８．２４０ （６）：１１８２—１１８５． ［６］Ｓｃｈｕｂｅｒｔ Ｊ，Ｓｃｈｏｎｉｎｇ Ｍ Ｊ，Ｍｏｕｒｚｉｎａ Ｙｕ Ｇ，ｅｔ ａ１．Ｍｕｌｔｉｃｏｍｐｏ— ｎｅｎｔ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ ｆｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｅｎｓｏｒ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ Ｐｒｅ— ｐａｒｅｄ ｂｙ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｏｎ［Ｊ］．Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ Ｂ．２００１，７６（２）：３２７—３３０． ［７］ 门洪，邹绍芳，王平等．脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器 的研究Ｉ－Ｊ］．浙江大学学报（３２科版），２００５，３９（４）：６００—６０４． ［８］Ｈｏｎｇ ＭＥＮ，Ｄａｌｏｎｇ ＬＩＵ，Ｓｈａｏｆａｎｇ ＺＯＵ，ｅｔ ａ１．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｔｏｎｇｕｅ ｏｆｒ Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ［Ｃ］／／Ｔｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａ— ｔｉｏｎａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｅｎｓｏｒｓ．２００４．７．１ １—１４，Ｊａｐａｎ． －Ｉ９］Ｒｏｓｅｍａｒｙ Ｆｅｅｎｅｙ，Ｓａｍｕｅｌ Ｐ．Ｋｏｕｎａｖｅｓ．Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｅｄ Ｕ１一 ｔｒａｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｄｅ Ａｒｒａｙｓ：Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ．Ａｄｖａｎｃｅｓ，ａｎｄ Ａｐ～ ｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｉｎ Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ［Ｊ］．Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｓｉｓ， ２０００，１２（５）：６７７－６８４． 王平（１９６２一），男，教授，博士生导师，ｃｎｐｗａｎｇ＠ｚｊｕ．ｅｄｕ．ｃｎ
