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专利名称：发光二极管和其制造方法专利类型：发明专利发明人：陈立宜,李欣薇申请号：CN2018105221.8申请日：20180808公开号：CN109473524A公开日：20190315
摘要：本发明公开了一种发光二极管和其制造方法。发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层以及主动层。第一型半导体层包含低阻值部分和高阻值部分。低阻值部分通过高阻值部分与第一型半导体层的至少一个边缘分开。第一型半导体层的电阻率自低阻值部分向高阻值部分增加。主动层设置在第一型半导体层和第二型半导体层之间。主动层具有第一区域和第二区域，第一区域的穿透位错密度大于第二区域的穿透位错密度，且低阻值部分在主动层上的垂直投影与第二区域至少部分重叠。低阻值部分和高阻值部分的组合可电流进入主动层的区域，使得主动层的发光区域内的电流密度增加，并因此增进发光二极管的操作稳定性和效率。
申请人：美科米尚技术有限公司
地址：萨摩亚阿庇亚市邮政信箱603号珩泰大楼
国籍：WS
代理机构：北京中誉威圣知识产权代理有限公司
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