（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201220238260.9 （22）申请日 2012.05.17
（71）申请人 河南恒昌电子有限公司
地址 461500 河南葛市黄河大道与魏武路交叉口北500米路西侧恒昌电子有限公司
（10）申请公布号 CN202651207U
（43）申请公布日 2013.01.02
（72）发明人 刘宝成 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种半导体晶粒
（57）摘要
本实用新型涉及一种半导体晶粒，具
体地说是涉及一种致冷件上的晶粒，是一种半导体晶粒，包括晶粒本体，晶粒本体是三碲化二铋，所述的晶粒本体外边还有碲化铷层，所述的碲化铷层的厚度是0.1～0.01毫米，这样晶粒安装在致冷件上电能的转化效率高达87％，进一步的提高了使用效率。 法律状态
法律状态公告日
2013-01-02 2014-07-09
授权 专利权的终止
法律状态信息
授权
法律状态
专利权的终止
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说明书
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