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专利名称：金属与聚合物的连接结构及半导体器件专利类型：实用新型专利
发明人：赖铭智,岳光礼,向宇,许聪基,高逸群申请号：CN201922150845.X申请日：20191205公开号：CN210490082U公开日：20200508
摘要：本实用新型公开了一种金属与聚合物的连接结构，属于半导体器件制造技术领域。本实用新型的金属与聚合物的连接结构，在金属与聚合物之间的接合面上设置有一层作为过渡层的氮化硅薄膜。本实用新型还公开了一种半导体器件。本实用新型针对半导造工艺中金属与聚合物之间连接不牢固的难题，开创性地采用氮化硅（SiNx）作为过渡层来提高聚合物与金属之间的粘附性以及聚合物的硬度。相比现有技术，本实用新型技术方案可使金属焊盘与聚合物的结合更牢固，并且实现成本低廉，操作工艺简单。
申请人：苏州长瑞光电有限公司
地址：215024 江苏省苏州市工业园区苏虹东路388号
国籍：CN
代理机构：北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人：杨楠
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