・６４・ 材料导报 ２０１６年５月第３０卷专辑２７ 纳米银浆低温烧结性能的研究进展 向红印，明，黄培德，陈端云，刘 银 （深圳市中金岭南科技有限公司，深圳５１８１２２） 摘要 一纳米银浆料具有优异的低温烧结性能而广泛应用于印刷行业，其制备技术成为该领域的研究热点之 。综述了低温印刷纳米银浆料的制备方法、导电机理、低温烧结原理及其影响因素，重点阐述了近年来纳米银浆低 关键词 纳米银浆低温烧结印刷 温烧灶Ｉ胜能的研究进展。 中图分类号：ＴＢ３４ 文献标识码：Ａ Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｏｎ Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ ｏｆ Ｎａｎｏ－ｓｉｌｖｅｒ Ｐａｓｔｅ ＸＩＡＮＧ Ｈｏｎｇｙｉｎ，ＧＡＯ Ｇｕａｎｍｉｎｇ，ＨＵＡＮＧ Ｐｅｉｄｅ，ＣＨＥＮ Ｄｕａｎｙｕｎ，ＬＩＵ Ｙｉｎ （Ｓｈｅｎｚｈｅｎ Ｎｏｎｆｅｍｅｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．Ｌｔｄ．，Ｓｈｅｎｚｈｅｎ ５１８１２２） Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｎａｎｏ－ｓｉｌｖｅｒ ｐａｓｔｅ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｗｉｄｅｌｙ ｕｓｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｐｒｉｎｔｉｎｇ ｉｎｄｕｓｔｒｙ ｗｉｔｈ ｉｔｓ ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ ｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，ａｎｄ ｉｔｓ ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｈａｓ ｂｅｃｏｍｅ ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｈｏｔ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｉｎ ｔｈｉｓ ｆｉｅｌｄ．Ｔｈｅ ｓｔｕｄｙ ｒｅｖｉｅｗｓ ｔｈｅ ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ，ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ，ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ ｏｆ ｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ａｎｄ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｆａｃｔｏｒ ｆｏｒ ｔｈｅ ｐｒｉｎｔｉｎｇ ｎａｎｏ—ｓｌｉｖｅｒ ｐａｓｔｅ，ａｎｄ ｆｏｃｕｅｓ ｏｎ ｔｈｅ ｒｅｃｅｎｔ ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｏｎ ｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｎａｎｏ—ｓｌｉｖｅｒ ｐａｓｔｅ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ ｎａｎｏ—ｓｉｌｖｅｒ ｐａｓｔｅ，ｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，ｐｒｉｎｔｉｎｇ 银纳米材料由于具有特异的物理化学性能，很高的热导 率，良好的导电性能，优异的低温烧结性能，且相对于金的价 格便宜，在空气中比铜、镍稳定，其制备成的银浆可以在大气 环境条件下烧结等性能，因此，纳米银在抗菌材料、传感器、 光电材料、银导电浆料等领域得到广泛应用。纳米银浆现已 成为目前导电浆料研发的主体材料口 ］。Ｓｅｏ等 对银粉粒 径大于１５０ ｎｍ的银浆的烧结稳定性进行了研究，结果发现 在３００℃以上烧结时，所得样品导电效果良好，但是相对于 柔性高分子基材来说，其烧结温度仍然较高 ］。目前关于 ３００。Ｃ以下烧结工艺对低温纳米银浆形成膜层导电性能的影 响研究报道较少，特别是低于１５０℃的银浆膜层低温烧结性 能，需要进一步深入研究。 种。一种是由导电功能相（纳米银粉）、有机载体粘结剂（有 机树脂和有机溶剂）和少量添加剂等组成，它是一个混料过 程，即实现银粉和有机载体（热塑性有机聚合物的溶剂溶解 物）以及其他助剂的均匀混合。另一种方法是利用离心的方 式得到的［５］。通过化学还原法制备纳米银颗粒，反复清洗干 净以去除溶液中的杂质离子。加入絮凝剂破坏纳米银溶胶 的电离平衡使溶胶系统失稳，析出纳米银颗粒，随后进行离 心分离，得到高浓度的纳米银浆。这种纳米银浆由于没有有 机载体的加入使得烧结稳定性显著降低。 Ｃｈｏｕ等［６ 使用ＰＶＰ作为保护剂通过还原银获得纳 米银浆料，并使用商用喷墨打印制作了导线图案，简单低温 热处理后获得低电阻率的银导线。刘文平等ｌ＿７］以直流电弧 等离子体蒸发凝聚法制备了纳米银粉，并以此作为导电功能 相制备了低温银浆。结果表明该纳米银粉制备的银浆在 目前制备银纳米材料最普遍采用的方法是液相化学还 原法，该方法制备的银纳米粒子由于比表面积高、表面活性 高，具有很强的团聚倾向，所以在其表面必须包覆一层分散 ２５０￣３００℃烧结即可形成导电性膜层。杨健等 采用热溶 剂化学还原法还原银制得纳米银导电浆料，实验发现， 在１２０。Ｃ下的纳米银为球、片混合状，粒径为４０ ｎｍ左右，最 后经过导电浆料的制备及１５０℃下的烧结，测得其导电性能 良好，在环氧基材表面附着力强。 目前纳米银粉在工业上制备主要以液相化学还原法为 剂。当该纳米银粒子制备成低温印刷导电银浆时，纳米银颗 粒表面的分散剂在低温烧结时不能彻底分解，残留的分散剂 阻碍烧结的进行，导致烧结质量变差，影响烧结膜层的性能。 所以在低温条件下（低于１５０℃）实现烧结是印刷电子行业 的一大难题。 １ 低温纳米导电银浆的制备 低温印刷纳米银浆的制备按照成分组成可大致分为两 ＊广东省前沿与关键技术专项资金（２Ｏ１４１３０９０９１５００２） 主，但化学还原法制备的纳米粒子易于团聚，如何有效抑制 纳米金属颗粒之间的团聚、提高纳米银溶胶的稳定性以及保 证纳米银粒子的可分散性尤为重要。纳米银粉的性能决定 向红印：男，硕士，工程师，研究方向为金属粉体功能材料及相关涂料Ｅ－ｍａｉｌ：ｘｈｙ２８０４１１８２７＠１６３．ｃｏｍ 纳米银浆低温烧结性能的研究进展／向红印等 了纳米银浆的性能，所以如何制备具有优异性能的纳米银粉 也是未来该领域研究的重点。 ・ ６５ ・ 从统计学角度出发．解释了银粉体积分数与导电性能的关 系。但其局限性在于没有考虑银粉表面的性质、在复合体系 中的接触方式和状态以及有机物对复合物导电性的正反作 用。所以其无法解释在超过“渗流阈值”之后，随着体系中银 含量的增加．导电性能并不能增长，以及当银含量达到一定 ２低温银浆的导电机理 低温银浆的导电机理比较复杂，至今还未形成公认的理 沦学说。其中最早提出的、具有代表性的导电机理是“渗流 理论”（Ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ ｔｈｅｏｒｙ） ］。该理论解释的是导电填料体 积分数对复合材料导电率的影响。根据此理论，在银粉和有 时，会出现导电性能下降的现象。而其他理论正好弥补了此 缺陷，认为材料的导电性能取决于体系内导电填料和基材的 综合作用。 机载体组成的复合材料中，银粉达到一定的体积比例之前， 该复合材料中的银粉被有机载体完全隔开，处于不导电状 态；当银粉达到该体积比例之后，导电银粉在复合材料中形 成导电网络。复合材料变成良导体（体电阻率发生突然下 降），使得该复合材料的电导率急剧增大，此临界体积分数称 ３纳米银浆低温烧结原理 纳米银粉的表面活性强，为了防止在室温保存过程中发 生纳米颗粒的预先团聚。通常都要在纳米银粉的表面包覆一 之为“渗流阂值”。但实际上复合材料的导电性不仅取决于 体系中导电粒子的体积比例，而且还与成膜过程、银粉形态、 粒径分布、微观接触状态和银粉表面包覆剂量有直接的关 系 ”］。研究人员在透射电子显微镜下发现导电膜层中由 导电粒子之间直接接触形成链状导电通路的很少，导电粒子 层有机物．起到稳定纳米颗粒的作用。在纳米银浆的制备过 程中，通常会添加一些有机溶剂和高分子聚合物来调整银浆 的粘度和流动性。其中高分子聚合物起到支撑纳米颗粒使 其在浆料中均匀分散的作用。但是。高分子聚合物的热分解 稳定很高，一般都在２５０ Ｃ以上，而它的分解是纳米银颗粒 烧结发生的前提条件，这就导致纳米银浆需要较高的烧结温 度。图１为低温纳米银浆导电膜层形成过程示意图。 之间有很多很小的空隙 ‘ 。尽管导电粒子之间存在空隙， 但是体系仍然有很好的导电性能，这说明电子可以在银粉之 间隧穿、跃迁 因此电子在运动过程中存在“隧穿电阻”和 “集中电阻”（电子群在流经大小不同接触点时受到的阻碍）， 这些都是“渗流理论”无法解释的。 Ｋｉｒｋｐａｔｒｉｃｋ等在此基础上提出了解释类似银和有机载 体导电性的模型，被称之为ＥＭＴ（Ｅｆｅｃｔｉｖｅ ｍｅｄｉｕｎ ｔｈｅｏｒｙ）有 效介质理论 。” ，接近“渗流阈值”时，体系的导电性可以用式 （１）表示： 一纳水银颗粒 “ 有机聚合物和空穴 Ａ（ｔｏ，， 一ｆｒ） （１） 式中： 为混合体的导电性， 为混合体中金属导电物的体 积系数，＿厂ｒ为渗流值相关体积系数，Ａ为经验参数，，一为实验 参数，ｒ一（１ｏｇａ ．／ｌｏｇ．／＂． ）。 Ｇ．Ｒ．Ｒｕｓｃｈａｕ等 在此基础上提出了新的导电模型， 被称为“隧穿模型”，认为体系内的每一条导电路径都存在一 系列电阻的串联，包括金属粒子自身的体电阻和粒子之间的 接触电阻。其中接触电阻包括＿ｒ集中电阻和隧穿电阻，表达 式为： Ｒ＝Ｒｑ＋ｐ１ ＋０ｌ‘Ｉ ／ｃ， （２ 式中：ｐ 为金属粒子的本征电阻率；ｄ为接触点的直径；ｐｔ为 量子隧穿电阻率；ａ为接触点面积；Ｌ为颗粒绝缘层的厚度 图１低温纳米银浆导电膜层形成过程 Ｆｉｇ．１ Ｔｈｅ ｆｉｌｍ ｆｏｒｍｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｔｈｅ ｎａｎｏ－ｓｉｌｖｅｒ ｐａｓｔｅ 烧结过程的驱动力是烧结体系自由能的降低．包括烧结 颈的长大、颗粒表面平直化以及总表面自Ｅ｝＿ｉ能的减小等方 面。烧结过程按照先后顺序可分为３个阶段：（】）烧结初期 的粘结阶段；（２）烧结颈长大阶段；（３）闭孔隙球化和缩小阶 段。作用于烧结颈处并使颗粒接触 域变得平直化的力与 烧结颈处的曲率半径和表面张力有关＿１ ２１：，称为毛细管力 （Ｃａｐｉｌｌａｒｙ ｆｏｒｃｅ）Ｌ ｅｌ。 ，或Ｌａｐｌａｃｅ拉应力（Ｉ．ａｐｌａｃｅ ｔｅｎｓｉｏｎ ｓｔｒｅｓｓ） ．或表面张力引起的力（Ｆｏｒｃｅ ｄｕｅ ｔＯ ｓｕｒｆａｃ（．＇ｔｅｎ— ｓｉｏｎ） （氧化物、有机聚合物、表面助剂等）。 导电浆料的导电牢取决于复合体单位体积内导电粒子 的接触点数、接触面积和接触程度（导电粒子之问的距离）。 ４纳米银浆低温烧结性能改性的研究进展 传统的纳米导电银浆在ｉｉｉｉ后．需要征较离的温度下烧 结后才具备良好的导电性能。采用液相化学法制得纳米银 粉时，银粉表面一般都会有一层有机物包覆，该做法既呵以 防止银粉颗粒被氧化，又可以 其在有机稳定剂中更好分 散。但是在银浆烧结旧化后，银粉颗粒表面这层有机物会被 保留下来，严蘑影响印刷线路的导电 ＩＩｉｉ。一般提升低温ＥｌＪ 刷纳米银浆性能的办法有如下儿种： （１）纳米银表面改性处理。研究表明纳米银表ｍ仔在的 Ｇ．Ｒ．Ｒｕｓｃｈａｕ等进一步阐明复合体导电性取决于单位体积 内导电粒子接触点数、接触面积和接触状态（间距），揭示了 导电粒子之问并不存在直接接触，复合体的电阻是由一系列 的“隧穿电阻”和“集中电阻”组成，完善了该类复合体的导电 机理。 银导电浆料的导电机理十分复杂，不同的导电机理分别 从不同角度对导电现象做了解释。从宏观角度看，渗流理论 ・ ６６ ・ 材料导报 ２０１６年５月第３Ｏ卷专辑２７ 有机包覆层会阻隔银之间的电流导通，增加银浆的电阻ｌ＿２ ， 彻底分解，残留的分散剂阻碍烧结的进行，导致成膜质量变 对银粉表面进行处理可以有效地去除有机包覆层以降低电 阻。 Ｘ等＿２ 采用硅烷偶联剂ＫＨ－５６０对纳米银粉进行表 面改性处理，发现ＫＨ一５６０可以以化学键合的方式吸附在纳 米银颗粒表面，使其分散均匀，与不加ＫＨ一５６０改性的导电 银浆相比，其导电率提高了３～５倍。 （２）化学试剂去除纳米银表面分散剂。唐耀等Ｌ２ ］采用液 相法以银的乙二醇溶液作为前驱体，聚乙烯吡咯烷酮 （ＰＶＰ）作为保护剂，还原得到平均粒径在９０ ｉ＂１１１＂１的类球状银 颗粒。该银颗粒的表面会被ＰＶＰ包裹，在一些电解质的作 用下会发生脱附作用，使ＰＶＰ层脱落。由于缺少了有机层 差。因此，分散剂的含量及分解和挥发温度直接影响着银浆 的烧结温度和烧结质量。所以，如何解决纳米银表面分散剂 对低温印刷纳米银浆烧结性能的影响，将是该领域研究的重 点方向。 参考文献 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端部结构可以降低其烧结温度。使用该银粉作为导电填料， 可以大幅度降低导电浆料的渗流阈值，并且可以降低电阻浆 料的导电率，提高导电性能。 ５结语 低温印刷纳米银浆中存在的分散剂在低温烧结时不能 ３ Ｓｅｏ Ｄ Ｓ，Ｐａｒｋ Ｓ Ｈ，Ｌｅｅ Ｊ Ｋ．Ｓｉｎｔｅｒａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｓｉｌｖｅｒ ｐａｓｔｅ ｗｉｔｈ Ｐｂ—ｆｒｅｅ ｌｆｉｔ［Ｊ］．Ｃｕｒｒｅｎｔ Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ，２００９，９（１）：￥７２ ４ ｌｄｅ Ｅ，Ａｎｇａｔａ Ｓ，Ｈｉｒｏｓｅ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｍｅｔａｌ—ｍｅｔａｌ ｂｏｎｄｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ ｕｓｉｎｇ Ａｇ ｍｅｔａｌｌｏ—ｏｒｇａｎｉｃ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ［Ｊ］．Ａｃｔａ Ｍａｔｅｒ，２００５，５３（８）：２３８５ ５ Ｈｕ Ａ，Ｇｕｏ Ｊ Ｙ，Ａｌａｒｉｉｆ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｏｆ Ａｇ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ ｆｏｒ ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｐａｃｋａｇｉｎｇ［Ｊ］．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ， ２０１０，９７（１５）：１５３１１７ ６ Ｃｈｏｕ Ｋａｎｓｅｎ，Ｈｕａｎｇ Ｋｕｏｃｈｅｎｇ．Ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ ｏｆ ｎａｎｏｓｉｚｅｄ ｓｉｌｖｅｒ ｃｏｌｌｏｉｄｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００５，１６（１０）：２４４１ ７刘文平，秦海青，林峰，等．纳米银粉在低温银浆中的烧结工艺研究 ［Ｊ］．电子元件与材料，２０１４，３３（９）：３０ ８杨健，金晶，杨耀，等．基于ＰＣＢ喷墨技术的纳米导电银浆的研制 ［Ｊ］．印刷电子，２０１１（３）：４６ ９ Ｋｉｒｋｐａｔｒｉｃｋ Ｓ．Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ ｉｎ ａ ｎｏｎｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒ ｄｏ— ｐｅｄ ｗｉｔｈ ＳｎＣｌａ ａｎｄ ＳｂＣ１３ＥＪ］．Ｒｅｖ Ｍｏｄｅｒｎ Ｐｈｙｓ，１９７３，４５（４）：Ｐ５７４ １Ｏ熊胜虎，杨荣春，吴丹箐，等．银粉形貌与尺寸对导电胶性能的影响 ［Ｊ］．电子元件与材料，２００５，２４（８）：１４ １１ Ａｎｕａｒ Ｓ Ｋ，Ｍａｒｉａｔｔｉ Ｍ，Ａｚｉｚａｎ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｔｙｐｅｓ ｏｆ ｓｉｌｖｅｒ ａｎｄ ｅｐｏｘｙ ｓｙｓｔｅｍｓ ｏｉｌ ｔｈｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｓｉｌｖｅｒ／ｅｐｏｘｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅｓ［Ｊ］．Ｊ Ｍａｔｅｒ Ｓｃｉ：Ｍａｔｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ，２０１ｌ，２２（７）：７５７ １２ Ｃａｌｌｅｇａｒｉ Ａ，Ｔｏｎｔｉ Ｄ，Ｃｈｅｒｇｕｉ＾／Ｌ Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ ｇｒｏｗｎ ｓｉｌｖｅｒ ｎａ— ｎｏｐａｒｔｉｃ［ｅｓ ｗｉｔｈ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ－ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｓｉｚｅ ａｎｄ ｓｈａｐｅ［Ｊ］．Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔ，２００３，３（１１）：１５６５ １３ Ｍａｉｌｌａｒｄ Ｍ，Ｇｉｏｒｇｉｏ Ｓ，Ｐｉｌｅｎｉ Ｍ Ｐ．Ｓｉｌｖｅｒ ｎａｎｏｄｉｓｋｓ［Ｊ］．Ａｄｖ Ｍａｔｅｒ， ２００２，１４（１５）：１０８４ １４周静，孙海滨，郑昕，等．粒子填充型导电复合材料的导电机理［Ｊ］． 陶瓷学报，２００９，３０（３）：２８１ １５ Ｅｚｑｕｅｒｒａ Ｔ Ａ，Ｋｕｌｅｓｃｚａ Ｍ，Ｃｒｕｚ Ｃ Ｓ，ｅｔ ａ１．Ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｉｎ ｐｏｌ— ｙｅｔｈｙ１ｅｎｅ—ｇｒａｐｈｉｔｅ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ ｍａｔｅｒｉａｌｓ［Ｊ］．Ａｄｖ Ｍａｔｅｒ，１９９０，２（１２）： ５９７ １６ Ｙｅ Ｉ ｉｌｅｉ，Ｌａｉ Ｚｏｎｇｈｅ，ｅｔ ａ１．Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ Ａｇ ｐａｒｔｉｃｌｅ ｓｉｚｅ ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｉｓｏｔｒｏｐｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅｓ［Ｊ］．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ，１９９９，２２（４）：２９９ １７ Ｍｏｒｒｅｌ Ｈ Ｃｏｈｅｎ，Ｊｏｓｈｕａ Ｊｏｒｔｎｅｒ．Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｍｅｄｉｕｍ ｔｈｅｏｒｙ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｈａｌｌ ｅｆｆｅｃｔ ｉｎ ｄｉｓｏｒｄｅｒｅｄ ｍａｔｅｒｉａｌｓ［Ｊ］．Ｐｈｙｓ Ｒｅｖ Ｌｅｔｔ，１９７３，３０（１５）： Ｐ６９６ １８ Ｒｕｓｃｈａｕ Ｇ Ｋ，Ｙａｓｈｉｋａｗａ Ｓ，Ｎｅｗｎｎａｍ Ｒ Ｅ，ｅｔ ａ１．Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｉｅｓ ｏｆ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ￣Ｊ］．Ｊ Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ，２００８，７２（３）：９５３ １９果世驹．粉末烧结理论［Ｍ］．北京：冶金工业出版社，１９９８：３ ２Ｏ Ｌａｐｌａｃｅ Ｐ Ｓ Ｍｅｃａｎｉｑｕｅ ｃｅｌｅｓｔｅ［Ｍ］．Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ：Ｇｅｎｅｒａｌ Ｂｏｏｋｓ ＬＬＣ，２０１０：６８５ ２１ Ｃａｈｎ Ｊ Ｗ，Ｈｅａｄｙ Ｒ Ｂ．Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｃａｐｉｌｌａｒｙ ｆｏｒｃｅｓ ｉｎ ｌｉｑｕｉｄ－ｐｈａｓｅ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｏｆ ｊａｇｇｅｄ ｐａｒｔｉｃｌｅｓ［Ｊ］．Ｊ Ａｍ Ｃｅｒａｍ Ｓｏｃ，１９７０，５３（７）：４０６ （下转第８６页） ・ ８６ ・ 材料导报 ２０１６年５月第３０卷专辑２７ ３ Ｆｒａｎｋ Ｇａｒｄｅａ，Ｄｉｍｉｔｒｉｓ Ｃ Ｌａｇｏｕｄａｓ．Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ １２ Ａｌｅｓｓｉｏ Ｂｅｃｈｅｒｉ。ｅｔ ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ ａｎｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ／ｅｐｏｘｙ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ［Ｊ］． Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ：Ｐａｒｔ Ｂ，２０１４，５６：６１１ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｔｏ ｔｅｘｔｉｌｅｓ ａｓ ＵＶ－ａｂｓｏｒｂｅｒｓ［Ｊ］．Ｊ Ｎａｎｏ－ ｐａｒｔ Ｒｅｓ，２００８，１０：６７９ ４ Ｇｅｏｎ－Ｗｏｏｎｇ Ｌｅｅ，Ｓｕｄｈａｋａｒ Ｊａｇａｎｎａｔｈａｎ，Ｈａｎ Ｇｉ Ｃｈａｅ，ｅｔ ａ１．Ｃａｒ— ｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ ａｎｄ ｅｘｆｏｌｉａｔｉｏｎ ｉｎ ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ａｎｄ ｓｔｒｕｃ— １３ Ｓｈｅｎ Ｊ，Ｈｕａｎｇ Ｗ，Ｗｕ Ｉ ，ｅｔ ａ１．Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ａｍｉｎｏ－ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ ｍｕｌ— ｔｉｗａｌｌｅｄ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ ｌ＿Ｊ］．Ｍａｔｅｒ Ｓｃｉ Ｅｎｇ Ａ，２００７，４６４（１）：１５１ ｔｕｒｅ ａｎｄ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｉｎｇ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ［Ｊ］．Ｐｏｌｙｍｅｒ，２００８， ４９：１８３１ １４孙萍，熊波，张国青，等．氧化锌纳米晶体的光谱分析［Ｊ３．光谱学与光 谱分析，２００７（１）：１４３ １５ Ｌｉ Ｙｕａｎｑｉｎｇ，Ｆｕ Ｓｈａｏｙｕｎ，Ｍａｉ Ｙｉｕｗｉｎｇ．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ ｃｈａｒａｃ— ５ Ｌｉ Ｑ，Ｌｉｕ Ｃ，Ｗａｎｇ Ｘ，ｅｔ ａ１．Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｔｈｅｒｍａ１ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｉｎｄｉｖｉｄｕａｌ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ ｂｙ ｔｈｅ Ｒａｍａｎ ｓｈｉｆｔ ｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．Ｎａｎｏ— ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００９，２０：１４５７０２／１ ６ Ｄａｓ Ａ，Ｓｔ６ｃｋｅｌｈｕｂｅｒ Ｋ Ｗ，Ｊｕｒｋ Ｒ，ｅｔ ａ１．Ｍｏｄｉｆｉｅｄ ａｎｄ ｕｎｍｏｄｉｆｉｄｅｄ ｍｕｌｔｉｗａｌｌｅｄ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ ｉｎ ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎ－ｓｔｙｒｅｎｅ－ ｔｅｒｉ—ｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ＺｎＯ／ｅｐｏｘｙ ｎａｎｏｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ ｗｉｔｈ ｈｉｇｈ－ＵＶ ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ［Ｊ］．Ｐｏｌｍｅｒ，２００６，４７：２１２７ ｙ１６ Ｓｔａｎｋｏｖｉｃｈ Ｓ，Ｄｉｋｉｎ Ｄ Ａ，Ｐｉｎｅｒ Ｒ Ｄ，ｅｔ ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ ｇｒａｐｈｅｎｅ－ ｂａｓｅｄ ｎａｎｏｓｈｅｅｔｓ ｖｉａ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ｅｘｆｏｌｉａｔｅｄ ｇｒａｐｈｉｔｅ ｏｘｉｄｅ ｂｕｔａｄｉｅｎｅａｎｄ ｂｕｔａｄｉｅｎｅ ｒｕｂｂｅｒ ｂｉｅｎｄｓ［Ｊ］．Ｐｏｌｙｍｅｒ，２００８，４９：５２７６ ７ Ｚｈｏｎｇ Ｌｉｎ Ｗａｎｇ．ＺｎＯ ｎａｎｏｗｉｒｅ ａｎｄ ｎａｎｏｂｅｌｔ ｐｌａｔｆｏｒｍ ｆｏｒ ｎａｎｏｔｅｃｈ— 口］．Ｃａｒｂｏｎ，２００７，４５：１５５８ １７ Ｌｖ Ｈ，Ｓａｎｇ Ｄ，ＩＡ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ ｐｒｏ－ ｎｏｌｏｇｙ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒ Ｓｃｉ Ｅｎｇ Ｒ，２００９，６４：３３ ８ Ｆｕｓｈａｎ Ｌｉ，Ｓｕｎｇ Ｈｗａｎ Ｃｈｏ，Ｄｏｎｇ Ｉｃｋ Ｓｏｎ，ｅｔ ａ１．ＵＶ ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＺｎＯ ｎａｎｏ／ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｕｓｉｎｇ ｃａｒｂｏｎ ｇｒｏｕｐ ｅｌｅｍｅｎｔｓ ａｓ ｔｈｅ ｒｅｄｕｃｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ＿Ｊ］．Ｎａｎｏｓｃａｌｅ Ｒｅｓ Ｌｅｔｔ，２０１０（５）：６２０ １８ Ｙｏｕｓｅｆｉ Ｒ，Ｍｕｈａｍａｄ Ｍ Ｒ，Ｚａｋ Ａ Ｋ．Ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｓｏｕｒｃｅ ｔｅｍｐｅｒａ— ｔｕｒｅ ｏｎ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｉｃａｌ ａｎｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＺｎＯ ｎａｎｏｗｉｒｅｓ ｇｒｏｗｎ ｃｅｌｌｓ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ ＺｎＯ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ／ｍｕｌｔｉｗａｌｌｅｄ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ，２００９，９４：１１１９０６ ９ Ｒｏｄｒｉｇｕｅｓ Ｊ，Ｍａｔａ Ｄ，Ｐｉｍｅｎｔｅｌ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｏｎｅ－ｓｔｅｐ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ ＺｎＯ ｄｅｃｏｒａｔｅｄ ＣＮＴ ｂｕｃｋｙｐａｐｅｒ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｕｓｉｎｇ ａ ｍｏｄｉｆｉｅｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ ｓｅｔ—ｕｐ［Ｊ］．Ｃｕｒｒ Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ， ２０１１（１１）：７６７ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒ Ｓｃｉ Ｅｎｇ Ｂ，２０１５，１９５：３８ １０ Ｙａｎｇ Ｑ，Ｇｕｏ Ｘ，Ｗａｎｇ Ｗ，ｅｔ ａ１．Ｅｎｈａｎｃｉｎｇ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ ｓｉｎｇｌｅ １９李琚鹏，齐暑华，谢瑶．聚合物基导热绝缘复合材料导热机理及应用 研究［Ｊ］．材料导报：综述篇，２０１２，２６（２）：６９ ＺｎＯ ｍｉｃｒｏ－／ｎａｎｏｗｉｒｅ ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ ｂｙ ｐｉｅｚｏ－ｐｈｏｔｏｔｒｏｎｉｃ ｅｆｆｅｃｔ［Ｊ］． ＡＣＳ Ｎａｎｏ，２０１０，４：６２８５ ２Ｏ张军，郑昌仁，冯今明．高聚物的热传导性质［Ｊ］．高分子通报，２００１ （６）：５４ ２１ Ｏｚｇｕｒ Ｕ，Ａｌｉｖｏｖ Ｙ Ｉ，Ｌｉｕ Ｃ，ｅｔ ａ１．Ａ ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ ＺｎＯ １１ Ｔｓｚ—ｔｉｎｇ Ｗｏｎｇ，Ｋｉｎ－ｔａｋ Ｌａｕ，Ｗａｉ－ｙｉｎ Ｔａｍ，ｅｔ ａ１．Ｅｔｃｈｅｓ．ＵＶ ｒｅ— ｓｉｓｔｉｈｉｌｉｔｙ ｏｆ ａ ｎａｎｏ－ＺｎＯ／ｇｌａｓｓ ｆｉｂｒｅ ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ ｅｐｏｘｙ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ［Ｊ］． Ｍａｔｅｒ Ｄｅｓ，２０１４，５６：２５４ ＼ ；ｐ ｐ ｐ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ ｄｅｖｉｃｅｓ ＩＪ］．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ，２００５，９８：０４１３０１ ＼ ｐ ｐ ＼ ＼ ＼ ‘ （上接第６６页） ２２ Ｍｃ Ｄｕｆｌｆｅ Ｎ Ｇ．Ａｍｍｏｎｉａ ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ ａｔ ｔｈｅ ａｑｕｅｏｕｓ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ［Ｊ］． Ｌａｎｇｍｕｉｒ，２００１，１７（１９）：５７１１ ２３ Ｚｈｕ Ｈ Ｉ ，Ａｖｅｒｂａｃｋ Ｒ Ｓ Ｓｉｎｇｔｅｒｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ ｏｆ ｔｗｏ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ： ３０ １ｗａｍａ Ｓ，Ｈａｙａｋａｗａ Ｋ．Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｏｆ ｕｌｔｒａｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｐｏｗｄｅｒｓ：Ｎｅｃｋ ｇｒｏｗｔｈ ｓｔａｇｅ ｏｆ Ａｕ，Ａｇ，Ａ１ ａｎｄ Ｃｕ［Ｊ］．Ｊｐｎ Ｊ Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ，１９８１，２０： ３３５ ３１ Ｗａｋｕｄａ Ｄ，Ｋｉｍ Ｋ Ｓ．Ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｏｆ ａｇ ｎａｎｏ－ｓｃａｌｅ Ａ ｓｔｕｄｙ ｂｙ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｄｙｎａｍｉｃｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ Ｍａｇａ— ｚｉｎｅ Ｌｅｔｔ，１９９６，７３（１）：２７ ｐａｒｔｉｃｌｅｓ ｗｉｔｈ ｄｒｙｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅ ｓｏｌｖｅｎｔ［Ｃ］／／Ｔｈｅ ２００８．７ｔｈ ＩＥＥＥ Ｃｏｎ— ｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ａｎｄ Ａｄｈｅｓｉｖｅｓ ｉｎ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏ－ ｎｉｃｓ．Ｇａｒｍｉｓｈ－Ｐａｒｔｅｎｋｉｒｃｈｅｎ，２００８：１ ２４ Ｊａｃｃｏｄｉｎｅ Ｒ Ｊ．Ｓｕｒｆａｃｅ ｅｎｅｒｇｙ ｏｆ ｇｅｒｍａｎｉｕｍ ａｎｄ ｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．Ｊ Ｅｌｅｃ— ｔｒｏｃｈｅｍ Ｓｏｃ，１９６３，１１０（６）：５２４ ２５ Ｌｉ Ｙ．Ｍｏｏｎ Ｋ Ｓ．Ｗｏｎｇ Ｃ Ｐ．Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｙ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ｏｆ ｅｌｅｃ— ｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅｓ ｔｈｒｏｕｇｈ ｉｎ－ｓｉｔｕｒｅｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｂｙ ｓｈｏｒｔ— ３２ Ｗａｋｕｄａ Ｄ，Ｋｉｍ Ｋ Ｓ，Ｓｕｇａｎｕｍａ Ｋ．Ｔｉｍｅ－ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｐｒｏ－ ｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ａｇ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ ｐａｓｔｅ ｆｏｒ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｂｏｏｄｉｎｇ［Ｃ］／／ ｆＥＥＥ－ＮＡＮＯ ２００９．９ｔｈ ＩＥＥＥ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ．Ｇｅｎｏａ，２００９：４１２ ｃｈａｉｎ ｄｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ａｃｉｄｓ ＥＪ］．Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ，２００６，２９（１）：１７３ ２６ Ｉ ｉ Ｘ，Ｚｈｅｎｇ Ｂ，Ｘｕ Ｌ，ｅｔ ａ１．Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ａｄｈｅ— ｓｉｖｅ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｗｉｔｈ ｓｉｌｖｅｒ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ ｍｏｄｉｆｉｅｄ ｂｙ ｓｉｌａｎｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ ３３王帅，计红军，等．用于电子封装的纳米银浆低温无压烧结连接的研 究［Ｊ］．电子工艺技术，２０１２，３３（６）：３１７ ３４ Ｌｕｉｇｉ Ｂ，Ａｎｄｒｅａ Ｃ，Ｃａｍｉｌｌａ Ｂ，ｅｔ ａ１．Ｔｉｍｅ－ｒｅｓｏｌｖｅｄ ｐｈｏｔｏｄｙｎａｍｉｃｓ ｏｆ ｔｒｉａｎｇｕ１ａ卜ｓｈａｐｅ ｓｉｌｖｅｒ ｎａｎｏｐｌａｔｅｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔ，２００６，６（１）：７ ３５ Ｌｅｅ Ｇ，Ｓｈｉｎ Ｓ，Ｋｉｍ Ｙ，ｅｔ ａ１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｉｌｖｅｒ ｎａｎｏｒｏｄｓ ｔｈｒｏｕｇｈ ａｇｅｎｔ［Ｊ］．Ｒａｒｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｔｅｒ Ｅｎｇ，２０１２，４Ｉ（１）：２４ ２７唐耀，陶志华，等．银纳米颗粒印制导电图形的新途径——取代烧结 ｔｈｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ ｐＨ ｏｆ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｍｅｄｉｕｍ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒ Ｃｈｅｍ Ｐｈｙｓ。２００４，８４（２—３）：１９７ ３６ Ｔａｏ Ｙ，Ｘｉａ Ｙ，Ｗａｎｇ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｎｏｖｅｌ ｉｓｏｔｒｏｐｉｃａｌ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅｓ ［Ｃ］／／２ｏ１２秋季国际ＰＣＢ技术／信息论坛，２０１２：４１７ ２８ Ｗａｋｕｄａ Ｄ，Ｈａｔａｍｕｒａ Ｍ，Ｓｕｇａｎｕｍａ Ｋ．Ｎｏｖｅｌ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｒｏｏｍ ｔｅｒｎ— ｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｏｆ ａｇ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ ｐａｓｔｅ ｉｎ ａｉｒ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ，２００７，４４１：３０５ ｆｏｒ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｐａｃｋａｇｉｎｇ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［Ｊ］．ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ Ａｄｖ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ， ２００９，３２（３）：５８９ ３７ Ｃｕｉ Ｘ Ｙ．Ｙａｎｇ Ｃ，ｅｔ ａ１．Ｓｃａｌａｂｌｅ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ ｔｈｅ ｍｏｎｏ－ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ ｓｉｌ— ｖｅｒ ｍｉｃｒｏ－ｄｅｎｄｒｉｔｅｓ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｉｎ ｔｈｅ ｕｌｔｒａｌｏｗ ｃｏｓｔ ｐｒｉｎｔｅｄ ２９ Ｗａｋｕｄａ Ｄ，Ｈａｔａｍｕｒａ Ｍ，Ｓｕｇａｎｕｍａ Ｋ．Ｎｏｖｅｌ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｒｏｏｍ ｔｅｒｎ— ｐｅｒａｔｕｒｅ ｗｉｒｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ａｇ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ ｐａｓｔｅ［Ｃ］／／Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ａｎｄ Ａｓｈｅｓｉｖｅ ｉｎ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ．Ｐｏｌｙｔｒｏｎｉｃ ６ Ｉｎｔｅｒｎａ— ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅｓ［Ｃ］／／Ｔｈｅ ２０１３ １４ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａ— ｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１３：２７３ ｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ．Ｏｄａｉｂａ，Ｔｏｋｙｏ，２００７：１００
