一种电子束曝光单层光刻胶制作Y型栅的方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410722269.0 （22）申请日 2014.12.03 （71）申请人 复旦大学

地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

（10）申请公布号 CN104538292A

（43）申请公布日 2015.04.22

（72）发明人 邵金海;陈宜方;陆冰睿

（74）专利代理机构 上海正旦专利代理有限公司

代理人 陆飞

（51）Int.CI

H01L21/28;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种电子束曝光单层光刻胶制作Y型栅的方法

（57）摘要

本发明属于微电子元器件技术领域，具体

为一种单层电子束光刻胶制备Y型栅的方法。该方法包括在器件衬底外延层表面旋涂电子束光刻胶，用电子束曝光出三维Y型结构，蒸发金属形成Y栅金属层，将残留的电子束光刻胶剥离四个步骤，从而利用电子束套刻在器件源漏之间形成Y型栅。本发明方法不仅能够有效降低Y型栅的尺寸提高Y型栅制作的效率，还能提高Y型栅的

成品率以及一致性，在制作高电子迁移率晶体管的工艺中具有重要意义。

法律状态

法律状态公告日

2015-04-22 2015-04-22 2015-08-19 2015-08-19 2018-01-30

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

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公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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