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专利名称：等离子体刻蚀处理装置专利类型：实用新型专利发明人：张冬平,杨佐东申请号：CN201220747252.7申请日：20121231公开号：CN203013674U公开日：20130619
摘要：本实用新型涉及一种等离子体刻蚀处理装置，所述等离子体刻蚀处理装置包括：等离子体工艺腔室、聚焦环及聚焦环冷却系统。其中，所述聚焦环及聚焦环冷却系统均设置于所述等离子体工艺腔室中，所述聚焦环冷却系统能够控制聚焦环的温度。本实用新型提供的等离子体刻蚀处理装置采用聚焦环冷却系统控制聚焦环的温度，聚焦环的温度不会影响半导体晶圆边缘的刻蚀速度，半导体晶圆边缘刻蚀的均匀性得到了提高。
申请人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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