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专利名称：屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：颜树范
申请号：CN201710206001.5申请日：20170331公开号：CN106876279A公开日：20170620
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件，栅极结构的多晶硅栅形成于深沟槽顶部侧面，两侧的多晶硅栅之间形成有第二介质层且该第二介质层深入到多晶硅栅的底部，源极多晶硅形成于第二介质层的底部，在源极多晶硅和深沟槽的侧面和底部表面之间隔离有底部介质层。第二介质层实现源极多晶硅和多晶硅栅之间的隔离，能减少源极多晶硅和多晶硅栅之间的寄生电容。本发明还公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法。本发明能降低器件的栅源寄生电容，改善器件的输入电容并提高器件的性能。
申请人：上海华虹宏力半导造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：郭四华
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