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专利名称：一种MOS器件的测试方法专利类型：发明专利
发明人：刘铁,鲜益民,柳入华,郭万瑾申请号：CN200810036581.9申请日：20080424公开号：CN101566667A公开日：20091028
摘要：本发明提供了一种MOS器件的测试方法，用于探针卡测试MOS器件的导通电阻，探针卡上具有若干用于接触MOS器件源端的探针，探针通过引线连接引出各自位于探针卡上若干接线点，将探针卡数个探针作为源端测试探针，将数个作为源端测试探针的接线点进行电性导通性连接；将探针卡数个探针作为源端加载探针，将数个作为源端加载探针的接线点进行电性导通性连接。本发明通过采用数个探针作为MOS器件的源端测试探针，通过将接线点进行电性导通性连接实现探针引线的汇接，可有效提高源端测试信号的准确性和抗干扰能力，提高导通电阻测试值的稳定性，解决传统测试方法因测试信号易受干扰导致导通电阻测试值波动大的问题。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所
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