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专利名称：一种碳化硅用抛光液的制备和使用方法专利类型：发明专利
发明人：张贺,陈小龙,黄青松,王锡铭申请号：CN201010591103.1申请日：20101216公开号：CN102127371A公开日：20110720
摘要：本发明提供了一种用于高质量抛光碳化硅晶片表面的抛光液、抛光液的制备方法以及使用该抛光液的方法。该抛光液由去离子水、二氧化硅抛光液、辅助氧化剂、pH调节剂配制而成。利用此方法配制的抛光液无气味，分散均匀，状态稳定，无沉淀，可适当循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，50倍显微镜下观测无明显划痕且平整、均与，表面粗糙度经原子力显微镜检测可稳定达到纳米级。该抛光液的使用循环次数，可以通过改变加入辅助氧化剂和pH调节剂的量或者二者不同的比例来调节。
申请人：苏州天科合达蓝光半导体有限公司,北京天科合达蓝光半导体有限公司,中国科学院物理研究所
地址：215163 江苏省苏州市高新区科技城昆仑山路1号
国籍：CN
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