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专利名称：一种内嵌沟道二极管的SiC MOSFET制备方法专利类型：发明专利
发明人：周新田,宫皓,贾云鹏,胡冬青,吴郁申请号：CN201911040817.0申请日：20191030公开号：CN110739219A公开日：20200131
摘要：本发明提供一种内嵌沟道二极管的SiC MOSFET制备方法，具体包括在衬底层上表面依次生长N‑漂移层、JFET区；在JFET区两侧形成P‑base区；在P‑base区形成N+源区和P‑plus区；在JFET区、N+源区、P‑plus上表面形成MOSFET栅氧以及厚度较薄的沟道二极管栅氧；在MOSFET栅氧及沟道二极管栅氧的上表面形成MOSFET多晶硅栅和沟道二极管多晶硅栅；在MOSFET多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅上表面淀积SiO以形成隔离氧；在器件正面溅射源极金属，在器件背面溅射漏极金属。
申请人：北京工业大学
地址：100124 北京市朝阳区平乐园100号
国籍：CN
代理机构：北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人：吴荫芳
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