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专利名称：发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系
统
专利类型：发明专利发明人：姜大成
申请号：CN201110020097.9申请日：20110111公开号：CN102157651A公开日：20110817
摘要：本发明提供发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。发光结构层的至少一个横向表面具有A面和M面的解理刻面。
申请人：LG伊诺特有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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