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专利名称：掺杂方法、PN结构、太阳能电池及其制作方法专利类型：发明专利发明人：陈炯,洪俊华,钱锋申请号：CN201110396879.2申请日：20111202公开号：CN103137448A公开日：20130605
摘要：本发明公开了一种掺杂方法包括以下步骤：在一N型基底的表面和背面形成绒面；通过离子注入的方式在该N型基底的背面中形成N型重掺杂区域和N型轻掺杂区域，其中该N型轻掺杂区域为与该N型重掺杂区域接触的、且N型离子的掺杂浓度小于该N型重掺杂区域的区域；通过热扩散的方式在该N型基底的表面中形成一P型掺杂层。本发明还公开了一种PN结构、太阳能电池及其制作方法。本发明采用离子注入进行掺杂形成该N型轻掺杂区域与该N型重掺杂区域，掺杂离子的浓度和掺杂的均匀性得到了精确的控制。
申请人：上海凯世通半导体有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号
国籍：CN
代理机构：上海智信专利代理有限公司
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